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Mark Bohr, físico de Intel que lideró el desarrollo de los nuevos chips, sostiene un wafer con los transistores de 45 nanómetros.
NYT para LN
Llegará al mercado en segunda mitad del 2007

Nace una nueva generación de chips

Intel e IBM la desarrollaron al mismo tiempo, pero por separado
Supone el mayor salto tecnológico en el campo desde los años sesentas


Nueva York. DPA. Las empresas Intel e IBM desarrollaron al mismo tiempo, pero de manera independiente, una nueva generación de transistores (componentes microscópicos de chips) que supone el mayor salto tecnológico en este campo desde los años 60.

IBM anunció ayer que lanzará al mercado productos con la nueva tecnología en el 2008, mientras Intel quiere ya en la segunda mitad del 2007 sacar el nuevo transistor de 45 nanómetros (cada nanómetro es una milmillonésima parte de un metro).

IBM desarrolló su nueva tecnología en colaboración con el máximo competidor de Intel, Advanced Micro Devices, así como los consorcios electrónicos japoneses Sony y Toshiba.

La nueva tecnología de transistores supone la fabricación de chips mucho más eficientes que requieren de menor consumo de energía. Su uso posibilitará enormes progresos no solo en computadoras, sino también en numerosos productos de electrónica de consumo.

El invento. Los chips de Intel contendrán cada uno más de 1.000 millones de transistores de 45 nanometros, 30.000 de los cuales podrían pasar por el ojo de una aguja. O explicado de otro modo: más de 2.000 de ellos tienen el tamaño de pelo humano medio.

El primer transistor, que fue desarrollado por el legendario laboratorio estadounidense Bell Labs en 1947, tenía el tamaño de una mano. Un transistor de 45 nanómetros puede ser conectado y desconectado 300 millones de veces en un segundo.

Intel utilizará para el aislamiento de sus transistores el metal hafnio así como aleaciones metálicas. IBM todavía no dio a conocer qué materiales utilizará.

De esta forma, se evitará el eterno problema de la pérdida de energía, del que siempre habían sufrido los transistores fabricados con dióxido de silicona conforme se iban empequeñeciendo. Esto había complicado siempre los progresos en la miniaturización de estos componentes.

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